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华虹半导体升级嵌入式非易失性存储器工艺平台

 2020年07月21日  阅读 85  评论 0

摘要:中证网讯 华虹半导体7月20日发布消息称,公司95纳米SONOS嵌入式非易失性存储器工艺平台通过不断的创新升级,技术优势进一步增强,可靠性相应大幅提升。华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“在‘8英寸+12 英寸’战略定位的指引下,公司在8英寸平台上,通过缩小存储单元IP面积、减少光罩层数等方式来进一步强化嵌入式闪存技术工艺;同时,我们发挥12英寸平台更小线宽特性,打造高性能的嵌入式非易失性存储器工艺技术平台,在巩固智能卡芯片制造领航者地位的同时,满足物联网、MCU、汽车电子等高增长的市场需求。”

中证网讯(记者 吴科任)华虹半导体(01347.HK)7月20日发布消息称,公司95纳米SONOS嵌入式非易失性存储器(eNVM ,Embedded Non-VolatileMemory)工艺平台通过不断的创新升级,技术优势进一步增强,可靠性相应大幅提升。


公司介绍 ,95纳米SONOS eNVM工艺技术广泛应用于微控制器(MCU)、物联网等领域,具有稳定性好 、可靠性高、功耗低等优点。相对上一代技术,95纳米SONOS eNVM 5V工艺实现了更小设计规则 ,获得了同类产品芯片面积的缩小;逻辑部分芯片门密度较现有业界同类工艺提升超过40%,达到业界领先水平;所需光罩层数较少,能够提供更具成本效益的解决方案 。同时 ,95纳米SONOS eNVM 5V工艺具有更高集成度和领先的器件性能,存储介质擦/写特性达到了2毫秒的先进水平;低功耗器件驱动能力提高20%,仅用5V器件可以覆盖1.7V至5.5V的宽电压应用。


华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“在‘8英寸+12 英寸’战略定位的指引下 ,公司在8英寸平台上 ,通过缩小存储单元IP面积、减少光罩层数等方式来进一步强化嵌入式闪存技术工艺;同时,我们发挥12英寸平台更小线宽特性,打造高性能的嵌入式非易失性存储器工艺技术平台 ,在巩固智能卡芯片制造领航者地位的同时,满足物联网 、MCU、汽车电子等高增长的市场需求。”


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原文链接:https://www.zgshzh.cn/caijing/23140.html

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